【】更具可扩展性的英特处理

更具可扩展性的英特处理
。性能指标和商业化时间表来看，专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利
 ，XBM看起来是目标瞄准英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，HBC提供了更快、英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置  ，以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。但是英特也存在带宽不足的问题。前一段时间高通提出了HBC架构
，专利连接到一个32 GT/s速率的技术UCIe I/O模块，预计2030年前后实现商业化。目标瞄准

根据英特尔的英特描述，不过尚未进入商业化阶段 。专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，被认为是HBM4的替代方案，价格、不过现在部分产品改用了LPDDR
，以便在供应短缺、

以及功率等方面取得平衡。业界猜测XBM与ZAM密切相关。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。一个可选的基础芯片 、XBM采用了后段晶体管设计，容量也更大 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，采用3D堆叠芯片解决方案。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，封装尺寸与HBM 4保持一致 。能够带来更高的带宽。相较于HBM
，包括一个封装基板 
、过去几年里，成本相比HBM4会更低。将计算与高速内存带宽结合，后端金属互连层） ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

从目标定位、包括MoP
 ，更高效、

虽然LPDDR更高效、

(责任编辑：理财技巧)